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半导体关键材料

●  公司掌握高纯溅射靶材的一条龙生产核心技术,在河南郑州本部已经建成高纯溅射靶材生产线,产品工艺达到国际领先水平。

●  公司郑州占地200亩(一期50亩)的集成电路产业园正在建设中,未来将投产新的靶材产线。

●  2021年公司完成对新加坡某半导体核心材料制造商的全资并购,靶材产品进入台积电、格罗方德等优质客户。

    ·  国产替代;

    ·  知名厂商认证通过;

    • Ru及其合金靶材

    1.集成电路阻挡层;2.PMOS器件的迹电极材料;3.动态随机存储器DRAM和铁电随机存取存储器FRAM中电容的电极材料;4.应用在磁性随机存储器MRAM中;5.硬盘记录层不可或缺的底层材料。

    • 氧化镁靶

    • 氧化镁具有高温热稳定性、高介电性、低介电损耗及多种衬底晶格匹配良好等优点,是作为存储芯片的主要原料之一。
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    • 铁钴硼靶

    • MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器,其主体结构由三层结构的磁隧道结构成:自由层,固定层和氧化层,其原理是通过改变固定层和自由层的磁矩方向性实现存储数据。其中自由层的材料是CoFeB。
    • Mg靶

    • 镁是近年来可以制备并能够在自然环境中长期保存的轻质金属,金属镁在各个行业内的应用也越来越广泛,很多国防产品、民用产品都在不同程度上用到了金属镁Mg靶材是作为存储芯片的主要原料之一。
    • NiPt靶

    • 用于制备NiPt-硅化物触头,该触头是45nm技术节点以后最常用的硅化物。被应用于肖特基二极管(SBD)、互补金属氧化物半导体器件(CMOS)、场效应晶体管(FET)和集成电路等领域。